现代超大规模集成电路芯片的制造，那无疑是一个非常复杂非常精密极为高端的工作。

        高纯度硅晶圆片的制造就不说了，仅就光刻这个过程而言，就有着非常复杂且繁琐的步骤。

        而且每一个步骤都必须精密细致，任何一点的瑕疵都可能导致工艺的良率降低，甚至失败。

        简单说来，芯片制造的过程就是将ic设计厂商发来的一层一层又一层的ic设计“光罩图”中的电路图转移到晶圆上。

        形象的说，整个过程其实和老式的洗照片的的工艺非常的相似，当然，精密度完全不是一个级别的，甚至相差了十万八千里。

        芯片制造的过程，最复杂莫过于所谓的光刻，也就是把图像从掩膜版转移到晶圆上的这一过程。

        这一过程十分复杂，总结起来，大都包含如下十个步骤，也就是光刻的十步法：

        清洗并甩干晶圆表面、涂光刻胶、软烘焙加热光刻胶部分蒸发、精确对准掩膜版与晶圆并曝光光刻胶、祛除非聚合的光刻胶、硬烘焙光刻胶溶剂继续蒸发、检查表面的对准和缺陷、刻蚀、祛除光刻胶然后进行最终检查。

        这十步，原理十分简单，老师照片的制作都差不多是这个原理。

        但，如果要把制作的精度控制在几个n的级别，那就非常的不容易了。

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